[发明专利]三维垂直型存储器电路及位线与字线电压配置方法在审

专利信息
申请号: 201710889441.5 申请日: 2017-09-27
公开(公告)号: CN107644664A 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 雷宇;陈后鹏;李喜;王倩;李晓云;苗杰;宋志棠 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00;G11C7/12;G11C8/08
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 代理人: 余明伟
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种三维垂直型存储器电路及位线与字线电压配置方法,实现在对三维垂直型存储器进行读/写操作时,将所述三维垂直型存储器中的所有位线置为读不选择位线电压或写不选择位线电压,将其所有字线置为读不选择字线电压或写不选择字线电压,将其所有源线置为0V;待读/写脉冲信号到来时,将待操作存储单元的源线置为电源电压,同时对待操作存储单元所在的位线和字线进行电压配置,以使所述待操作存储单元两端的电压之差等于读操作电压或写操作电压,半选通存储单元两端的电压之差等于所述读操作电压的一半或所述写操作电压的一半。通过本发明所述电路及方法,实现所述存储器读出速度快,功耗低、工程实现性高、漏电少、读出正确率高。
搜索关键词: 三维 垂直 存储器 电路 电压 配置 方法
【主权项】:
一种三维垂直型存储器电路,其特征在于,所述三维垂直型存储器电路包括:三维垂直型存储器,所述三维垂直型存储器包括在水平方向上与至少一条字线连接、在垂直方向上与至少一条位线连接的至少一个三维垂直型存储器子阵列,所述三维垂直型存储器子阵列包括至少一个阵列页及与所述阵列页连接的源线,其中,所述阵列页包括水平方向上的所述字线,垂直方向上通过垂直晶体管与所述位线对应连接的至少一条本地位线,及位于所述字线与所述本地位线交叉点的存储单元;与所述字线连接的字线配置模块,用于根据地址信号选中一字线,以控制选中字线上的待操作存储单元,实现对其进行读操作或写操作;与所述位线连接的位线配置模块,用于根据所述地址信号选中一位线,以控制选中位线上的待操作存储单元,实现对其进行读操作或写操作;同时,在所述待操作存储单元进行读操作或写操作时,所述字线配置模块对各所述字线进行电压配置,所述位线配置模块对各所述位线进行电压配置,以使所述待操作存储单元两端的电压之差等于读操作电压或写操作电压,半选通存储单元两端的电压之差等于所述读操作电压的一半或所述写操作电压的一半。
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