[发明专利]具有降低电容可变性的半导体设备中的电容结构有效
| 申请号： | 201710890322.1 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107871730B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 阿尔班·阿卡;I·科尔特斯马约尔;汤姆·何曼;A·西杰利尼科夫;艾尔·梅迪·巴利利 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有降低电容可变性的半导体设备中的电容结构，其中，一种电容器，例如一N阱电容器，其位于一半导体设备中，并包含有一浮动半导体区域，其允许该电容器的该通道区域的一负偏压，同时抑制进入该基板的深度的渗漏。在此方法中，N阱基电容器可在设备级中予以提供，并在一相当宽的电压范围内具有一本质上平坦的电容/电压特性。因此，可使用半导体基N阱电容器取代形成于金属化系统中的交替极性电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 降低 电容 可变性 半导体设备 中的 结构 | ||
【主权项】：
一种电容结构，包括：一介电区域，其形成于具有一第一导电类型的一第一掺杂半导体区域的一部分上；一电极结构，其形成于该介电区域上；一第二掺杂半导体区域，其形成于该第一掺杂半导体区域的下方并具有该第一导电类型；一第三掺杂半导体区域，其在一深度方向上设置于该第一掺杂半导体区域以及该第二掺杂半导体区域之间，以于该深度方向勾画该第一掺杂半导体区域，该第三掺杂半导体区域具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型；以及一掺杂基板，其具有该第二导电类型，并通过该第二半导体区域与该第一半导体区域以及该第三半导体区域隔开。
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