[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。方法包括在层叠在衬底上的缓冲层上生长第一未掺杂氮化镓层；在第一未掺杂氮化镓层上形成胶体晶体薄膜，胶体晶体薄膜包括阵列排列的多个有机颗粒；在多个有机颗粒上和多个有机颗粒之间沉积氧化物薄膜；对多个有机颗粒进行加热，多个有机颗粒在温度升高的过程中分解成气体从氧化物薄膜和第一未掺杂氮化镓层之间排出，第一未掺杂氮化镓层和氧化物薄膜之间形成阵列排列的多个空腔；在氧化物薄膜上生长第二未掺杂氮化镓层；在第二未掺杂氮化镓层上依次生长N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，形成外延片。本发明提高了外延片的一致性。

主权项

一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在层叠在衬底上的缓冲层上生长第一未掺杂氮化镓层；在所述第一未掺杂氮化镓层上形成胶体晶体薄膜，所述胶体晶体薄膜包括阵列排列在所述第一未掺杂氮化镓层上的多个有机颗粒；在所述多个有机颗粒上和所述多个有机颗粒之间沉积氧化物薄膜；对所述多个有机颗粒进行加热，所述多个有机颗粒在温度升高的过程中分解成气体从所述氧化物薄膜和所述第一未掺杂氮化镓层之间排出，所述第一未掺杂氮化镓层和所述氧化物薄膜之间形成阵列排列的多个空腔；在所述氧化物薄膜上生长第二未掺杂氮化镓层；在所述第二未掺杂氮化镓层上依次生长N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，形成外延片。