[发明专利]一种半导体芯片结构有效
| 申请号： | 201710894889.6 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107565377B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 张建伟;宁永强;张星;曾玉刚;秦莉;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01L33/64 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体芯片结构，半导体芯片结构包括半导体器件结构区和珀尔帖致冷结构区，且半导体器件结构区的器件侧第一半导体层和珀尔帖致冷结构区的致冷侧第一半导体层共用同一半导体层，进而通过珀尔帖致冷结构区对半导体器件结构区的工作结构直接散热，降低半导体器件结构区内部热积累效应，提高半导体芯片结构的工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片结构，其特征在于，包括：半导体器件结构区和珀尔帖致冷结构区；/n所述半导体器件结构区包括依次堆叠设置的第一电极、器件侧第一半导体层、器件侧第二半导体层和第二电极；/n所述珀尔帖致冷结构区包括依次堆叠设置的第一热端电极、致冷侧第一半导体层、致冷侧第二半导体层和第二热端电极，以及，所述珀尔帖致冷结构区包括连通所述致冷侧第一半导体层和所述致冷侧第二半导体层的致冷电极，所述致冷电极与所述第一热端电极和第二热端电极隔离；/n其中，所述器件侧第一半导体层和所述致冷侧第一半导体层共用同一半导体层；/n所述器件侧第二半导体层和所述致冷侧第二半导体层为同一半导体层分割的两部分；/n所述致冷侧第二半导体层包括多个致冷侧第二半导体子层，所述第二热端电极包括多个第二热端子电极，所述致冷电极包括多个致冷子电极；/n其中，一所述致冷侧第二半导体子层、一所述第二热端子电极及一所述致冷子电极组成一珀尔帖致冷结构子区，多个所述珀尔帖致冷结构子区的排列方向，与所述器件侧第二半导体层至所述致冷侧第二半导体层的方向垂直。/n
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