[发明专利]太阳能电池及其制造方法在审
| 申请号： | 201710895228.5 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN108074989A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 李有真;权泰寅;池光善;李洪哲 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 太阳能电池及其制造方法。公开了一种制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤：在半导体基板的一个表面上形成第一隧穿层；在第一隧穿层上形成第一导电区域，以使得该第一导电区域包括具有非晶结构的金属氧化物层；以及形成电连接至第一导电区域的第一电极。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 导电区域 隧穿层 制造 金属氧化物层 半导体基板 第一电极 非晶结构 电连接 | ||
【主权项】：
1.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：在半导体基板的一个表面上形成第一隧穿层；在所述第一隧穿层上形成第一导电区域，以使得该第一导电区域包括具有非晶结构的金属氧化物层；以及形成电连接至所述第一导电区域的第一电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
