[发明专利]一种采用电化学腐蚀技术来制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法在审
| 申请号： | 201710902588.3 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107706740A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 张晶;祝子翔;乔忠良;高欣;薄报学;李辉;王宪涛;魏志鹏;马晓辉;孙春明;陈锋 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法。已知采用传统质子轰击办法来制作SLD电流非注入吸收区不足之处是过小计量的轰击效果不明显、不稳定或者过强轰击容易造成器件损坏。传统质子轰击办法来制作SLD电流非注入区对质子轰击工艺要求过高，器件的成品率过低。本发明是一种采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法，器件整体结构由脊型台面和深纳米洞吸收区组成，在非出射端面处制作深纳米洞吸收区以达到抑制F‑P振荡的目的，吸收区经过电化学腐蚀等工艺制作而成，该吸收区的制作对腐蚀深度和腐蚀形状没有过多要求，仅需要穿过整个外延层可达到良好的光吸收效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 电化学 腐蚀 技术 制作 inp sld 电流 注入 吸收 方法 | ||
【主权项】：
一种采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法，其特征在于，其包括有如下步骤：1)针对图1中所示，采用电化学腐蚀技术制作1所示InP基SLD电流非注入吸收区；2)在InP基传统SLD外延片基础上，整个实验在一个装有电解液的电解池中进行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春理工大学，未经长春理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710902588.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种铅酸蓄电池双负板模块及其组装方法
- 下一篇：一种高温镍氢电池及其制备方法
