[发明专利]沟槽栅的制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽栅的制造方法，包括步骤步骤一、在半导体衬底表面形成沟槽；步骤二、形成第一氧化层；步骤三、根据沟槽的深宽比选用涂布层并形成将沟槽完全填充的涂布层；步骤四、采用干法刻蚀工艺对涂布层进行全面回刻；步骤五、以保留于沟槽底部的涂布层为掩膜进行第一氧化层的湿法刻蚀形成栅极底部氧化层；步骤六、去除涂布层；步骤七、进行栅氧化层的生长。本发明能采用较低成本实现BTO，从而能降低工艺成本；能在更小深宽比的沟槽中形成良好的BTO，从而能适用于各种深宽比的沟槽的BTO形成，从而具有较大的使用范围。

主权项

一种沟槽栅的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成沟槽；步骤二、在所述沟槽的底部表面和侧面以及所述沟槽外的表面形成第一氧化层；所述第一氧化层的厚度为沟槽栅的栅极底部氧化层的厚度；步骤三、根据所述沟槽的深宽比选用涂布层并在所述第一氧化层的表面形成涂布层；所述涂布层具有流动性且所述涂布层的流动性满足将所述沟槽完全填充并使位于所述沟槽外的所述涂布层和所述沟槽区域的所述涂布层的厚度差大于后续所述栅极底部氧化层位于所述沟槽的侧面的高度；步骤四、采用干法刻蚀工艺对所述涂布层进行全面回刻，回刻后将所述沟槽为的所述涂布层去除以及将所述沟槽内的所述涂布层回刻到形成所述栅极底部氧化层所需的深度；步骤五、以保留于所述沟槽底部的所述涂布层为掩膜进行所述第一氧化层的湿法刻蚀，湿法刻蚀后所述第一氧化层仅保留于所述沟槽的底部并形成所述栅极底部氧化层；步骤六、去除所述涂布层；步骤七、进行栅氧化层的生长，所述栅氧化层位于所述栅极底部氧化层顶部的所述沟槽侧面，且所述栅氧化层的厚度小于所述栅极底部氧化层的厚度。