[发明专利]高Al组分AlxGa1-xN三元合金微晶球及其制备方法有效
| 申请号： | 201710906437.5 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107740189B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 沈龙海;吕伟 | 申请（专利权）人： | 沈阳理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B29/60;C30B25/02 |
| 代理公司： | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人： | 马海芳 |
| 地址： | 110159 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种高Al组分AlxGa1‑xN三元合金微晶球及其制备方法，属于半导体合金材料制备的技术领域。该微晶球是不同Al组分纤锌矿结构AlxGa1‑xN三元合金晶体，Al组分可调范围为0.77≤x＜1，该微晶球平均直径为5.0μm。该微晶球的制备方法为以金属铝粉、金属镓和氨气为反应原料，抽真空，以流量为300～700sccm通入氩气，10～15min后，调节氩气流量为40～60sccm，同时，通入与氩气流量相同流量的氨气，然后加热，反应温度为950～1000℃，时间1～3h，气相沉积法生长，制备出高Al组分的AlxGa1‑xN三元合金微晶球。该方法工艺简单、重复性好、无相分离、生产成本低、没有添加任何催化剂和模板，易于工业推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | al 组分 alxga1 xn 三元 合金 微晶球 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高Al组分AlxGa1‑xN三元合金微晶球，其特征在于，该高Al组分AlxGa1‑xN三元合金微晶球是不同Al组分纤锌矿结构AlxGa1‑xN三元合金晶体，Al组分可调范围为0.77≤x＜1，该微晶球具有规则且大小均一的球状结构，平均直径为5.0μm。
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