[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法

摘要

本发明公开了半导体器件和用于形成半导体器件的方法。半导体器件包括晶体管布置和二极管结构。二极管结构耦合在晶体管布置的栅极电极结构和晶体管布置的源极电极结构之间。绝缘层垂直地在半导体器件的二极管结构和半导体衬底的正侧表面之间定位。二极管结构包括至少一个二极管pn结。衬底pn结在屏蔽掺杂区域和边缘掺杂部分之间从半导体衬底的正侧表面延伸到半导体衬底中。边缘掺杂部分在半导体衬底内与屏蔽掺杂区域相邻定位。在半导体衬底的正侧表面处，衬底pn结横向地在二极管pn结和二极管结构与源极电极结构的源极接触区域之间定位。

主权项

一种半导体器件（100、400），包括：晶体管布置；以及耦合在所述晶体管布置的栅极电极结构（142）和所述晶体管布置的源极电极结构（140）之间的二极管结构（130），其中，绝缘层（104）垂直地在所述半导体器件的所述二极管结构（130）和半导体衬底（102）的正侧表面之间定位，其中，所述二极管结构（130）包括至少一个二极管pn结（138），其中，衬底pn结（115）在屏蔽掺杂区域（110）和边缘掺杂部分（120）之间从所述半导体衬底（102）的所述正侧表面延伸到所述半导体衬底（102）中，所述边缘掺杂部分（120）在所述半导体衬底（102）内与所述屏蔽掺杂区域（110）相邻定位，其中，所述衬底pn结（115）在所述半导体衬底（102）的正侧表面处横向地在所述二极管pn结（138）和所述二极管结构（130）与所述源极电极结构（140）的源极接触区域（134）之间定位。