[发明专利]掩膜装置、蒸镀设备以及掩膜装置制备方法有效
申请号: | 201710908524.4 | 申请日: | 2017-09-29 |
公开(公告)号: | CN107435131B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 徐健;刘耀阳 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/24 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 王刚;龚敏 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种掩膜装置、蒸镀设备以及掩膜装置制备方法,涉及蒸镀技术领域,用于改善掩膜版与待蒸镀基板之间的贴合不良,提高蒸镀效果。所述掩膜装置包括铁磁性材料的掩膜版,所述掩膜版包括:至少一个蒸镀区域以及至少一个非蒸镀区域;所述蒸镀区域设置有沉积通孔;所述非蒸镀区域包括与所述蒸镀区域相邻的过渡区域,所述过渡区域设置有过渡孔,所述过渡孔的体积小于所述沉积通孔的体积,且从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述过渡孔的体积逐渐减小。上述掩膜装置适用于蒸镀设备中。 | ||
搜索关键词: | 装置 设备 以及 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种掩膜装置,其特征在于,所述掩膜装置包括铁磁性材料的掩膜版,所述掩膜版包括:至少一个蒸镀区域以及至少一个非蒸镀区域;所述蒸镀区域设置有沉积通孔;所述非蒸镀区域包括与所述蒸镀区域相邻的过渡区域,所述过渡区域设置有过渡孔,所述过渡孔的体积小于所述沉积通孔的体积,且从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述过渡孔的体积逐渐减小;从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述过渡区域包括依次设置的第一过渡区域和第二过渡区域,所述过渡孔包括第一过渡孔和第二过渡孔,所述第一过渡孔位于所述掩膜版的第一侧,所述第二过渡孔位于所述掩膜版的第二侧,所述第一侧和所述第二侧相对,所述第一过渡区域内,从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述第一过渡孔的体积不变,所述第二过渡孔的体积逐渐减小;所述第二过渡区域内不设置有所述第二过渡孔,从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述第一过渡孔的体积逐渐减小;或者,所述第一过渡区域内,从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述第一过渡孔的体积逐渐减小,所述第二过渡孔的体积不变;所述第二过渡区域内不设置有所述第一过渡孔,从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述第二过渡孔的体积逐渐减小。
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