[发明专利]基于双栅结构的半导体高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201710908767.8 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107887434A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 韩克锋 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于双栅结构的半导体高电子迁移率晶体管，包括衬底、设于衬底上方的沟道层以及设于沟道层上方的势垒层，在所述势垒层上方两端分别设有源极和漏极；所述源极和漏极之间为绝缘栅介质，所述绝缘栅介质的上方设有远栅极，所述绝缘栅介质和势垒层之间设有近栅极；所述源极和远栅极之间、远栅极和漏极之间，均设有器件钝化介质；本发明具有如下显著优势能够显著减少甚至消除GaN MOSHEMT的电压电流迟滞现象；器件结构紧凑，便于集成；成本低，便于推广应用；能够广泛应用于通信、导航、识别、测控、广播电视、遥感遥测、射电天文、预警探测、精密跟踪、电子对抗、火控制导等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 结构 半导体 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种基于双栅结构的半导体高电子迁移率晶体管，其特征在于：包括衬底(101)、设于衬底(101)上方的沟道层(102)以及设于沟道层(102)上方的势垒层(103)，所述衬底(101)和沟道层(102)之间，还包括缓冲层和成核层；在所述势垒层(103)的上方两端分别设有源极(104)和漏极(109)，所述源极(104)和漏极(109)之间为绝缘栅介质(105)，所述绝缘栅介质(105)的上方设有远栅极(106)，所述绝缘栅介质(105)和势垒层(103)之间设有近栅极(107)；所述源极(104)和远栅极(106)之间、远栅极(106)和漏极(109)之间，均设有器件钝化介质(108)。
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