[发明专利]一种瞬态电压抑制二极管芯片的制造方法

摘要

本发明涉及一种瞬态电压抑制二极管芯片的制造方法。本发明的工艺步骤中，通过化学抛光和热处理吸杂处理衬底硅片以降低衬底硅片表面缺陷及体内缺陷，通过一次退火处理得到10‑50um的近表面清洁区，达到减小漏电流的作用；通过退火处理使得电压降低一倍，因为电压越高，漏电越大，所以通过退火能够明显降低电压减小漏电流；通过本发明技术方案制造的瞬态电压抑制二极管芯片，其漏电流可以降低至l0uA以下。

主权项

一种瞬态电压抑制二极管芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：a、选用0.001‑0.014Ω·cm的N型晶向单晶硅衬底硅片，对衬底硅片一次清洗；b、对完成步骤a的衬底硅片依次进行化学抛光、热处理吸杂和衬底硅片二次清洗；c、对完成步骤b的衬底硅片依次进行初始氧化、基区光刻、硼扩散处理、一次退火处理、引线孔光刻、衬底硅片Al金属蒸发、正面金属光刻和二次退火处理；d、对完成步骤d的衬底硅片采用HF：H2O=1:10的清洗液清洗120±10s，超声波清洗1‑2min，再采用HF：H2O=1:10的清洗液清洗20±2s；e、对完成步骤d的衬底硅片依次进行Ti金属蒸发、Ni金属蒸发和Ag金属蒸发；f、对完成步骤e的衬底硅片依次进行正面金属光刻、正面金属腐蚀、正面金属去胶和正面金属合金；g、对完成正面金属合金的衬底硅片进行电性测试、减薄、背面去应力腐蚀，划片入库。