[发明专利]一种三维芯片封装结构及其封装方法

摘要

本发明提供一种三维芯片封装结构及其封装方法，所述封装结构采用封装基板、穿孔硅中介层、裸片堆叠的封装形式，并采用塑封层实现裸片的保护，其中，裸片与穿孔硅中介层可通过导电凸块及重新布线层连接。该封装结构具有结构简单、更高I/O密度、更快传输效率的优点。所述封装方法首先在承载基板上粘附穿孔硅中介层，然后将裸片正面朝下装设于穿孔硅中介层上，并于粘附层上形成覆盖所述裸片及所述穿孔硅中介层的塑封层，接着去除承载基板及粘附层，得到包括穿孔硅中介层、裸片及塑封层的三维芯片模块，最后提供一封装基板，将三维芯片模块具有穿孔硅中介层的一面装设于封装基板上。该封装方法工艺复杂度较低，有利于降低生产成本并提高封装良率。

主权项

一种三维芯片封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一承载基板；于所述承载基板上形成粘附层；于所述粘附层上粘附穿孔硅中介层，所述穿孔硅中介层包括绝缘基板及多个上下贯穿所述绝缘基板的导电柱；提供至少一个裸片，将所述裸片正面朝下装设于所述穿孔硅中介层上；于所述粘附层上形成覆盖所述裸片及所述穿孔硅中介层的塑封层；去除所述承载基板及粘附层，得到包括所述穿孔硅中介层、所述裸片及所述塑封层的三维芯片模块；提供一封装基板，将所述三维芯片模块具有所述穿孔硅中介层的一面装设于所述封装基板上。