[发明专利]一种高深宽比高保形纳米级正型结构的制备方法

摘要

本发明揭示了一种高深宽比高保形纳米级正型结构的制备方法，本发明用旋涂的方法在提供的衬底上旋涂一层正性光刻胶聚甲基丙烯酸甲酯，并置于热板上前烘；利用电子束曝光技术对样品进行曝光显影得到预期的聚甲基丙烯酸甲酯微纳结构；利用磁控溅射镀膜沉积技术在样品上共形沉积一层功能材料薄膜；利用旋涂的方式在溅射处理后的样品上旋涂一层平坦化层氢倍半硅氧烷；然后把样品置于热板上低温烘烤以去除平坦化材料中的溶剂；再对样品用斜角离子束抛光设备以角度小于90°的夹角进行抛光处理直到除去聚甲基丙烯酸甲酯上表面所有金属为止；最后用氧等离子对样品进行处理以达到去除聚甲基丙烯酸甲酯并进行无应力释放最终的高深宽比高保形纳米级正型结构。

主权项

一种高深宽比高保形纳米级正型结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、提供衬底，并进行清洗；步骤二、在衬底上旋涂光刻胶,并进行前烘；步骤三、对光刻胶进行曝光；步骤四、对曝光后的样品进行显影；步骤五、利用镀膜工艺在光刻胶表层沉积功能材料薄膜；步骤六、在已经沉积功能材料薄膜的衬底上旋涂一层平坦化材料；步骤七、烘烤，去除平坦化材料中的溶剂；步骤八、利用抛光工艺，将平坦化层及突出的功能材料薄膜去除，直到抛光到下层光刻胶为止；步骤九、利用选择性去除技术或加热去除剩余光刻胶；从而获得高深宽比高保形纳米级正型结构图形。