[发明专利]存储器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种存储器及其制造方法，在形成第一接触间隔材料层于衬底上，第一接触间隔材料层覆盖开口、存储节点接触及位线结构之后，研磨第一接触间隔材料层以暴露出第一接触间隔材料层在开口中的孔隙，并通过第二接触间隔材料层填充孔隙，从而形成无孔隙缺陷的接触间隔，提高了接触间隔的质量与可靠性。

主权项

一种存储器的制造方法，其特征在于，所述存储器的制造方法包括：提供一衬底，所述衬底中形成有沿第一方向和第二方向呈阵列排布的多个有源区，且所述有源区沿所述第二方向延伸，所述衬底中还形成有至少一条隔离线，所述隔离线隔离在所述第二方向上相邻的所述有源区；形成多条位线结构于所述衬底上，所述位线结构沿第三方向延伸且对准连接所述有源区中的源极，每条所述位线结构包括一位线导体及覆盖所述位线导体的位线隔离层；形成一存储节点接触材料层于所述衬底上，所述存储节点接触材料层覆盖所述衬底在相邻所述位线结构之间的区域；图案化刻蚀所述存储节点接触材料层，以形成多个存储节点接触，每个存储节点接触对准所述有源区中的一个漏极，并形成多个开口，位于在所述第二方向上相邻的所述存储节点接触之间并对准所述隔离线；形成一第一接触间隔材料层于所述衬底上，所述第一接触间隔材料层覆盖所述开口、所述存储节点接触及所述位线结构，并在所述开口中形成孔隙，所述孔隙在高出所述存储节点接触顶面的位置封闭；研磨所述第一接触间隔材料层至暴露出所述存储节点接触，并打开所述孔隙；形成一第二接触间隔材料层于所述衬底上，所述第二接触间隔材料层填充所述孔隙并覆盖所述存储节点接触及所述位线结构；及，研磨所述第二接触间隔材料层至暴露出所述存储节点接触，以在所述开口中形成一接触间隔。