[发明专利]一种太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 201710912382.9 | 申请日: | 2017-09-29 |
公开(公告)号: | CN107731957A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 郑霈霆;张范;金浩;张昕宇;许佳平;孙海杰;郭瑶;潘红英 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池的制备方法,包括,对制绒后的单晶硅片进行氧化后,在所述单晶硅片表面依次生成SiO2膜和硅膜,再在硅膜表面沉积PSG,并除去硅膜表面预设区域内的PSG;在所述预设区域内沉积BSG,在所述硅膜的表面形成所述PSG和所述BSG相间的区域;以所述PSG和所述BSG作为P源和B源的扩散推进,获得具有N型掺杂层和P型掺杂层交替分布结构的太阳能电池。本发明中无需多次掩膜清洗后实现磷扩散和硼扩散,整个工艺流程简单易操作,且设备成本低,从而降低太阳能电池的量化生产的成本,有利于太阳能电池的应用推广。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:对制绒后的单晶硅片进行氧化,在所述单晶硅片表面生成SiO2膜,并在所述SiO2膜的表面镀一层硅膜;在所述硅膜表面沉积PSG,并除去所述硅膜表面预设区域内的所述PSG;在所述预设区域内沉积BSG,在所述硅膜的表面形成所述PSG和所述BSG相间的区域;以所述PSG和所述BSG作为P源和B源的扩散推进,获得N型掺杂层和P型掺杂层交替分布的太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的