[发明专利]偏振成像探测器有效
| 申请号： | 201710917506.2 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107863411B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 钟海政;王雷;王岭雪;张猛蛟 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/12;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 11372 北京聿宏知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴大建;张杰 |
| 地址： | 100081 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种偏振成像探测器，用于实现紫外偏振成像探测，其包括：紫外‑可见光转换膜，用于选择性地吸收特定偏振方向的紫外光并且将其转换为相同偏振方向的可见光；微纳光学结构，用于选择性地透射所述相同偏振方向的可见光；以及成像器件，用于探测经由所述微纳光学结构透射的所述相同偏振方向的可见光。 | ||
| 搜索关键词： | 偏振 成像 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种偏振成像探测器，用于实现紫外偏振成像探测，包括：/n紫外-可见光转换膜，用于选择性地吸收特定偏振方向的紫外光并且将其转换为相同偏振方向的可见光；/n微纳光学结构，用于选择性地透射所述相同偏振方向的可见光；以及/n成像器件，用于探测经由所述微纳光学结构透射的所述相同偏振方向的可见光。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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