[发明专利]一种制备有机-无机复合半导体单晶薄膜的空间限位溶剂辅助生长方法

摘要

本发明涉及一种制备有机‑无机复合半导体单晶薄膜的空间限位溶剂辅助生长方法。首先将有机‑无机复合半导体多晶薄膜吸附一定量的溶剂蒸汽，再将抛光的盖片放置于薄膜表面，将多晶薄膜和盖片一起用柔性薄膜包封后放入高压热压釜内，用液态传压传热介质填满热压釜后密封，并在热压釜上施加高压后开始加热。在恒温恒压处理一定时间后，逐步冷却到室温，缓慢地卸掉压力即得由大尺寸、高结晶度的晶粒组成、晶粒界面结合良好的有机‑无机复合半导体单晶薄膜。本发明制备的有机‑无机复合半导体单晶薄膜可用于研制高性能太阳能电池、电致发光器件、光敏探测器等半导体光电功能器件，在新能源技术、显示设备制造以及自动控制等领域有重要的应用价值。

主权项

1.一种制备有机‑无机复合半导体单晶薄膜的空间限位溶剂辅助生长方法，包括：将有机‑无机复合半导体单晶薄膜吸附溶剂蒸汽步骤：在液态传压传热介质中进行高等静压处理步骤；进行高等静压处理步骤中，将吸附完溶剂蒸汽后的有机‑无机复合半导体单晶薄膜与抛光盖片紧密贴合，然后包覆密封，再进行高等静压处理；使用柔性薄膜进行包覆密封，所述的柔性薄膜为聚四氟乙烯薄膜、金箔或/和银箔；所述的抛光盖片为硅片、III‑V族半导体单晶片、II‑VI族半导体单晶片、氧化铝片或玻璃片。