[发明专利]一种新型的用于太赫兹功能器件中太赫兹衰减器有效
| 申请号： | 201710918504.5 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109597149B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 相文峰;孙睿;姚江峰;董子斌;陈少华 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（北京） |
| 主分类号： | G02B5/02 | 分类号： | G02B5/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;赵静 |
| 地址： | 102249*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种新型的三层结构衰减片、基于该结构形成的Ni纳米线太赫兹衰减片及太赫兹衰减器。所述三层结构衰减片，其结构从下到上依次包括：基底、有序排列的Ni纳米线层以及聚二甲基硅氧烷固定层。所述Ni纳米线太赫兹衰减片，包括两个权利要求1或2所述的三层结构衰减片A/B，其中，三层结构衰减片A位置固定，三层结构衰减片B通过连续固定可调转轴转动，所述三层结构衰减片B转动的轴心线与所述三层结构衰减片A中与所述轴心线同方向的中心线在同一铅垂面内。本发明的主要是对衰减片结构上的创新，通过双层可旋转的结构来实现太赫兹光波强度的连续可调控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 用于 赫兹 功能 器件 衰减器 | ||
【主权项】：
1.一种三层结构衰减片，其结构从下到上依次包括：基底、有序排列的Ni纳米线层以及聚二甲基硅氧烷固定层。
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