[发明专利]化学气相沉积装置及其用途有效
申请号: | 201710919181.1 | 申请日: | 2017-09-30 |
公开(公告)号: | CN107881490B9 | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 马尔科姆·约翰·哈里斯;彼得·罗埃尔弗·维尼玛;马滕·罗纳德·雷内斯;约翰尼斯·莱茵德·马克·卢奇斯 | 申请(专利权)人: | 泰姆普雷斯艾普公司 |
主分类号: | C23C16/48 | 分类号: | C23C16/48;C23C16/513;C23C16/52;H01L31/18 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 陈丹;郑霞 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本申请公开了化学气相沉积装置及其用途。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)装置包括配置用于具有基板的晶圆舟(10)的管状室(100)。PECVD装置还包括布置在室外侧并被配置用于借助于辐射来发射热的加热工具(110)、以及用于控制室(100)内部的包括温度和组成的状态的控制器。在这里,加热工具(110)配置用于根据在室内的径向变化剖面来提供辐射,该径向加热剖面包括第一径向区(I)和第二径向区(II),并且其中在第一径向区(I)中的热通量(F |
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搜索关键词: | 化学 沉积 装置 及其 用途 | ||
【主权项】:
一种化学气相沉积装置,包括:管状室,所述管状室为卧式的并设置有底侧和顶侧及轴向方向,所述管状室被配置用于沿所述轴向方向布置支承多个基板的基座,所述管状室设置有用于使在气相中的化合物进入所述管状室的至少一个进口并设置有入口,所述基座能够通过所述入口进入所述管状室和从管状室移除,所述轴向方向实质上平行于基座进入所述室内和被从所述室移除所沿着的方向;加热工具,所述加热工具布置在所述管状室的外侧并且被配置用于借助于辐射来发射热,所述加热工具被配置用于根据所述管状室内的角度变化剖面来提供辐射,所述角度加热剖面包括第一角区和第二角区,并且其中在所述第一角区中的热通量高于在所述第二角区中的热通量,并且其中所述第一角区包括来自所述室的顶侧和/或底侧的区域;以及控制器,所述控制器用于控制所述室内的状态,包括温度和组成,其中,所述加热工具包括第一加热丝,所述第一加热丝的至少一部分布置在所述室的所述轴向方向上,所述第一加热丝设置有曲折形状,使得所述第一加热丝包括沿所述轴向方向延伸的多个部分,所述部分实质上彼此平行地布置,其中,在所述第一加热丝的第一相邻部分和第二相邻部分之间的相互距离取决于所述第一加热丝的所述第一相邻部分和第二相邻部分的角位置,使得所述相互距离在所述第一角区中比在所述角区中小。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的