[发明专利]乙烯基修饰的锗化氢二维材料及其制备方法

摘要

本发明提供乙烯基修饰的锗化氢二维材料及其制备方法，高温熔炼法制备二锗化钙晶体，然后将二锗化钙晶体作为锗源分散于浓盐酸中，在室温下快速搅拌反应，得到锗化氢，将锗化氢与乙烯基氯化镁在惰性气氛中1.2‑2.4V电压下反应8‑24h后，得到乙烯基修饰的锗化氢二维材料。反应原料易得，过程简便，工艺简单，有机修饰后材料带隙得到调整，材料制备以及稳定性对比其他类石墨烯二维材料具有显著优势。

主权项

1.乙烯基修饰的锗化氢二维材料，其特征在于：按照下述步骤进行：步骤1，在氩气保护下，将钙、锗以摩尔比为(1‑2):(2‑4)置于石英玻璃管内密封后，置于管式炉中以4‑10℃/min的速度升温到900‑1100℃并保温12‑30h后，以0.01‑0.5℃/min的速度缓慢降温2‑5天到室温20‑25℃后，得到二锗化钙；步骤2，将步骤1制备得到的二锗化钙与过量浓盐酸混合后置于反应容器中，在‑10℃～‑40℃条件下搅拌处理7‑10天，过滤、洗涤、干燥后得到锗化氢，干燥条件：室温20‑25℃下真空干燥5‑8h；步骤3，将步骤2制备得到的锗化氢与乙烯基氯化镁在惰性气氛中1.2‑2.4V电压下反应8‑24h后，锗化氢与乙烯基氯化镁的摩尔比为(2‑4):(1‑2)，得到乙烯基修饰的锗化氢二维材料。