[发明专利]利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法有效
| 申请号： | 201710919572.3 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107761068B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 何春清;周亚伟;李静静;尹崇山;张笑维 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法，包括采用SCCO2法处理透明导电氧化物薄膜的步骤，具体为：取去离子水加入SCCO2设备的反应釜内；透明导电氧化物薄膜置于反应釜内但不接触去离子水，密封反应釜；使反应釜内温度升高到55℃～75℃，CO2加压到10MPa～13Mpa，之后，继续升温至120℃～150℃，并保温反应30min～90min。本发明通过一种简单易控的方法来填补透明导电氧化物薄膜中缺陷，在不影响透明导电氧化物薄膜光学特性的前提下，有效改变了透明导电氧化物薄膜的电学性能，进而降低了透明导电氧化物薄膜器件在使用过程中产生的焦耳热。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 微结构 调控 降低 透明 导电 氧化物 薄膜 器件 功耗 方法 | ||
【主权项】：
1.利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法，其特征是：包括采用SCCO2法处理透明导电氧化物薄膜的步骤，具体为：取去离子水加入SCCO2设备的反应釜内；透明导电氧化物薄膜置于反应釜内但不接触去离子水，密封反应釜；使反应釜内温度升高到55℃～75℃，CO2加压到10MPa～13Mpa，之后，继续升温至120℃～150℃，并保温反应30min～90min。
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