[发明专利]一种制备二维过渡金属二硫族化合物单晶的方法及设备在审
| 申请号： | 201710919977.7 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107587196A | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 时玉萌;李贺楠;陈龙龙;姚慧珍;丁东 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/00;C23C16/30 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)44248 | 代理人： | 张立娟 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于材料制备技术领域，特别涉及一种二维过渡金属二硫族化合物单晶(TMDCs)的制备方法及制造设备。可以通过加载在金属箔片前驱物上的电流、电压、电磁波等直接控制金属表面反应温度来调节前驱物挥发的速率进而提高TMDCs样品制备的可控性及样品质量。同时由于整个气相沉积过程都是表面化学反应，反映前驱物的消耗量很小，可以实现长时间，连续生产TMDCs单晶的目的。采用该设备制备TMDCs的过程中，不必采用金属氧化物粉体作为前驱物，避免了前驱体的浪费，并实现了金属前驱物的多次重复利用。本发明可以用于热壁及冷壁CVD系统，具有良好的通用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 二维 过渡 金属 二硫族 化合物 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种二维过渡金属二硫族化合物单晶(TMDCs)的制备方法，其特征在于，使用化学气相沉积(CVD)方法，使用过渡金属箔片和硫族单质作为反应前驱物，惰性气体氛围中，在CVD高温区对金属加热，在低温区对硫族单质加热，金属表面首先形成TMDCs层，在更高的温度下挥发并在反应气氛下沉积在反应区的生长衬底。
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