[发明专利]半导体装置以及包括半导体装置的半导体系统在审
| 申请号： | 201710922465.6 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107895742A | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 织田真也;德田梨绘;神原仁志;河原克明;人罗俊实 | 申请（专利权）人： | 流慧株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L29/45;H01L29/06;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 王东贤,王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在本发明主题的第一方面，半导体装置包括包括含有镓的结晶性氧化物半导体的半导体层；以及位于半导体层上的肖特基电极。半导体层包括3mm2或以下的表面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 包括 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：包括含有镓的结晶性氧化物半导体的半导体层；以及位于所述半导体层上的肖特基电极；其中所述半导体层包括3mm2或以下的表面积。
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