[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710924364.2 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107919384B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 川上昌宏;森朋彦;上田博之 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件。所述半导体器件包括阱外n型区、被阱外n型区包围的p型阱区、阱内n型区和栅极。阱外n型区包括与p型阱区接触的杂质低浓度区和通过杂质低浓度区与p型阱区分开的杂质高浓度区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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