[发明专利]一种嵌套型多指双向可控硅静电防护器件

摘要

本发明公开了一种嵌套型多指双向可控硅静电防护器件，其特征在于：包括P型衬底；P型衬底内的N型深阱，N型深阱内从左到右设有第二左P阱、第一左P阱、第一右P阱、第二右P阱；第一左P阱内从右到左设有第一左P+注入区、第一左N+注入区、第二左P+注入区；第二左P阱内从右到左设有第三左P+注入区、第二左N+注入区、第四左P+注入区；第一右P阱内从左到右设有第一右P+注入区、第一右N+注入区、第二右P+注入区；第二右P阱内从左到右设有第三右P+注入区、第二右N+注入区、第四右P+注入区。本发明在提高器件对静电脉冲的泄放能力的同时，利用嵌套的方式有效地提高了维持电压，防止在内部电路正常工作时闩锁效应的发生。

主权项

1.一种嵌套型多指双向可控硅静电防护器件，其特征在于：/n包括P型衬底；/n设置在P型衬底内的N型深阱，所述N型深阱内从左到右依次设有第二左P阱、第一左P阱、第一右P阱、第二右P阱；所述第一左P阱与第一右P阱、第二左P阱和第二右P阱均为对称设置；/n第一左P阱内从右到左依次设有第一左P+注入区、第一左N+注入区、第二左P+注入区，第一左P+注入区横跨第一左P阱和N型深阱；/n第二左P阱内从右到左依次设有第三左P+注入区、第二左N+注入区、第四左P+注入区，第三左P+注入区横跨第二左P阱、N型深阱和第一左P阱；/n第一右P阱内从左到右依次设有第一右P+注入区、第一右N+注入区、第二右P+注入区，第一右P+注入区横跨第一右P阱和N型深阱；/n第二右P阱内从左到右依次设有第三右P+注入区、第二右N+注入区、第四右P+注入区，第三右P+注入区横跨第二右P阱、N型深阱和第一右P阱；/n所述第二左P+注入区、第四左P+注入区、第一左N+注入区、第二左N+注入区连接阳极，第二右P+注入区、第四右P+注入区、第一右N+注入区、第二右N+注入区连接阴极。/n