[发明专利]一种制备低褶皱密度石墨烯材料的生长方法有效
| 申请号： | 201710928128.8 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107500278B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 刘庆彬;蔚翠;何泽召;王晶晶;郭建超;周闯杰;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 13120 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 田甜<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 050000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备低褶皱密度石墨烯材料的生长方法，涉及石墨烯材料的制备技术领域。包括以下步骤：选择绝缘衬底，对绝缘衬底清洗，干燥；将清洗好的绝缘衬底放入CVD设备中，抽真空至≤10‑4mbar；开启微波电源，真空环境升温，去除绝缘衬底表面吸附的气体；通入氩气和氢气作为载气，氩气流量为1‑30L/min，氢气流量为1‑60L/min；通入气态碳源，气态碳源流量与氢气流量之比控制在0.001％‑50％之间；通入气态氮源，流量为0.005‑2L/min；在生长温度在500‑1800℃之间，保持气体压力为500‑1000mbar，持续时间为1‑100min，在绝缘衬底表面得到1‑5层P型掺杂的石墨烯。该方法操作简单，成本低，可控制石墨烯材料表面褶皱密度，有助于制备表面形貌平坦，高质量的石墨烯材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 褶皱 密度 石墨 材料 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备低褶皱密度石墨烯材料的生长方法，其特征在于：包括以下步骤：/n(1)选择绝缘衬底，对绝缘衬底清洗，干燥；/n(2)将步骤(1)清洗好的绝缘衬底放入CVD设备中，抽真空至≤10-4mbar；/n(3)开启微波电源，真空环境升温，去除绝缘衬底表面吸附的气体；/n(4)通入氩气和氢气作为载气，氩气流量为1-30L/min，氢气流量为1-60L/min；/n(5)通入气态碳源，气态碳源流量与氢气流量之比控制在0.001％-50％之间；/n(6)通入气态氮源，流量为0.005-2L/min，所述气态氮源为氮气，一氧化氮或者二氧化氮；/n(7)在生长温度为500-1800℃下，保持气体压力为500-1000mbar，持续时间为1-100min，在绝缘衬底表面得到1-5层P型掺杂的石墨烯，形成低褶皱密度石墨烯材料。/n
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