[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710930511.7 | 申请日： | 2013-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN107833872B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 崔炳德;徐廷宇;韩相然;郑铉雨;金弘来;黄有商 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件。半导体器件包括一对布置在衬底上的线路图案。接触插塞布置在所述一对线路图案之间，并且空气间隙布置在所述接触插塞与所述线路图案之间。接合焊盘从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分，并且绝缘层布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：位线；第一接触插塞，其布置在所述位线的第一侧上；第二接触插塞，其布置在所述位线的第二侧上；第一气隙，其布置在所述第一接触插塞和所述位线之间；第二气隙，其布置在所述第二接触插塞和所述位线之间；第一接合焊盘，其布置在所述第一接触插塞上并从所述第一接触插塞的顶端延伸以覆盖第一气隙；以及绝缘层，其布置在不被第一接合焊盘覆盖的第二气隙上。
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