[发明专利]一种氮化物发光二极管有效
| 申请号： | 201710931478.X | 申请日： | 2017-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN107833955B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;周启伦;钟志白;吴雅萍;王星河;李志明;杜伟华;邓和清;林峰;李水清;徐宸科;陈松岩;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/24;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物发光二极管，包括：N型氮化物半导体，具有V‑pits的多量子阱，V‑pits调制填充层，电子阻挡层以及P型氮化物半导体，其特征在于：多量子阱和电子阻挡层之间或电子阻挡层和P型氮化物半导体之间至少具有一层V‑pits调制填充层，该层由V‑pits开口封闭层和V‑pits开口开启层构成的周期结构组成，通过V‑pits的开口的张大和缩小形成的周期结构，提升P型空穴注入量子阱的效率和局域量子限制效应，并提升对量子阱出射光的反射和散射，提升发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物发光二极管，包括：N型氮化物半导体，具有V-pits的多量子阱，V-pits调制填充层，电子阻挡层以及P型氮化物半导体，其特征在于：多量子阱和电子阻挡层之间或电子阻挡层和P型氮化物半导体之间至少具有一层V-pits调制填充层，所述V-pits调制填充层由V-pits开口封闭层和V-pits开口开启层构成的周期性量子结构组成，通过V-pits的开口的张大和缩小形成的周期性量子结构。/n
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