[发明专利]功率器件、MIM电容及其制备方法有效
| 申请号： | 201710931600.3 | 申请日： | 2017-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN107622995B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 刘龙平;周平华;刘建华 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 31283 上海弼兴律师事务所 | 代理人： | 薛琦;李梦男<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率器件、MIM电容及其制备方法。制备方法包括，在所述第一通孔和所述上极板之间设置第一氮化硅层，在所述第二通孔和所述下极板之间设置第二氮化硅层。本发明解决了MIM电容容易漏电的问题，MIM电容的击穿电压和可靠性大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 mim 电容 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MIM电容的制备方法，所述MIM电容包括：第一通孔、第二通孔、上极板和下极板，所述第一通孔位于所述上极板的上方，所述第二通孔位于所述下极板的上方，其特征在于，在所述第一通孔和所述上极板之间设置第一氮化硅层，在所述第二通孔和所述下极板之间设置第二氮化硅层；/n所述制备方法包括以下步骤：/nS1、采用溅射工艺在衬底上形成所述下极板；所述下极板包括第一区域和第二区域；/nS2、在所述第一区域依次沉积第一介质层和所述上极板；/nS3、在所述上极板上沉积所述第一氮化硅层，在所述第二区域沉积所述第二氮化硅层；/nS4、分别在所述第一氮化硅层、所述第二氮化硅层、所述上极板和所述第二区域沉积第二介质层；/nS5、在所述第二介质层中形成所述第一通孔和所述第二通孔。/n
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