[发明专利]Bi2FeMo1-xNixO6双钙钛矿铁电薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201710931620.0 | 申请日: | 2017-10-09 |
公开(公告)号: | CN107768460B | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 李雍;崔霞霞;郝喜红;孙宁宁;杜金花;李晓伟;张奇伟 | 申请(专利权)人: | 内蒙古科技大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 | 代理人: | 安娜 |
地址: | 014010 内蒙*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种Bi2FeMo1‑xNixO6双钙钛矿铁电薄膜及其制备方法。该铁电薄膜包括化学通式为Bi2FeMo1‑xNixO6的材料,0<x≤0.5。制备方法:首先制Bi2FeMo1‑xNixO6的稳定胶体;之后进一步制备得到Bi2FeMo1‑xNixO6铁电薄膜。本发明提供的铁电薄膜具有优异的光伏性能和光电转化效率;与传统铁电材料相比,本发明的铁电薄膜具有更合适的光学带隙,能够与太阳光谱相匹配,从而有利于获得更高的光电转化效率;与此同时,本发明的铁电薄膜能够吸收更多的光子转化为载流子,从而获得良好的光伏性能,进而使其在可见光范围内比其他铁电材料可能具有更广阔的应用潜力。 | ||
搜索关键词: | bi2femo1 xnixo6 双钙钛矿铁电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种双钙钛矿铁电薄膜材料,其特征在于:所述双钙钛矿铁电薄膜材料的化学式为Bi2FeMo1‑xNixO6;其中,0<x≤0.5。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于内蒙古科技大学,未经内蒙古科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710931620.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
- 一种FeMo-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复相陶瓷及其制备方法
- 第5族金属源碳化物涂覆的钢质物品及其制造方法
- 一种低温共烧陶瓷微波介质材料及其制备方法
- 第5族金属源碳化物涂覆的钢质物品及其制造方法
- 多阴金属氧酸盐化合物[FeMo<sub>6</sub>H<sub>6</sub>O<sub>24</sub>]<sup>3-</sup>的用途
- Bi<sub>2</sub>FeMo<sub>1-x</sub>Ni<sub>x</sub>O<sub>6</sub>双钙钛矿铁电薄膜及其制备方法
- 一种(Bi<base:Sub>1/2
- 电磁炉(BI-C1-2)
- 一种改性焦炉煤气加氢脱硫催化剂及其制备方法
- Fe<base:Sub>2