[发明专利]用于硅通孔的电测试的改进系统以及对应的制造工艺

摘要

本发明的一些实施例涉及用于硅通孔的电测试的改进系统以及对应的制造工艺。一种用于制造系统的工艺，该系统用于对在垂直方向上穿过半导体材料的衬底延伸的通孔的电测试，该工艺构思在本体中集成电测试电路以实现检测穿过微电子掩埋结构的通孔的至少一个电学参数，该微电子掩埋结构限定朝着外部的电连接元件与通孔的掩埋端之间的电路径；集成步骤构思提供沟槽并且在沟槽的底部处形成掺杂掩埋区域，具有与衬底的掺杂相反的掺杂以便形成半导体结，当其正向偏置时限定电路径；具体而言，半导体结具有小于导电区域的在与垂直方向横切的水平面上的表面面积的结面积，以此方式具有减小的反向饱和电流。

主权项

一种半导体结构，包括：具有第一导电类型的衬底；第一沟槽，形成在所述衬底中并且具有沟槽壁和沟槽底部；第一绝缘体，具有设置在所述沟槽壁之上的壁层并且具有设置在所述沟槽底部上并从所述壁层向内延伸的底层；第一开口，形成在设置在所述沟槽底部上的所述底层中，所述第一开口小于所述沟槽底部；具有第二导电类型的第一区域，设置在所述衬底中并与所述第一开口对齐，所述第一区域的宽度大于所述第一开口的宽度并且小于在针对所述第一绝缘体的所述壁层的相对的内边缘之间延伸的宽度；以及第一导体，设置在所述沟槽中并在所述第一绝缘体之上并且通过所述第一开口与所述第一区域接触。