[发明专利]QLED器件的封装方法及封装结构在审
| 申请号： | 201710931768.4 | 申请日： | 2017-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN107565059A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 肖娅丹;矫士博 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种QLED器件的封装方法及封装结构。该QLED器件的封装方法通过在QLED器件上形成多层无机阻挡层与至少一层有机缓冲层交替层叠设置的薄膜封装层，对QLED器件实现密封以阻挡水氧等对器件的侵害，并且有机缓冲层中还掺杂了导热材料，能够将QLED器件产生的热量及时地通过薄膜封装层传递出来，从而提高薄膜封装层的散热性，进而提高QLED器件的出光效率和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | qled 器件 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种QLED器件的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成QLED器件(20)；步骤2，在所述QLED器件(20)和衬底基板(10)上形成薄膜封装层(50)；所述薄膜封装层(50)包括交替层叠设置的多层无机阻挡层(30)和至少一层有机缓冲层(40)；所述有机缓冲层(40)中掺杂有导热材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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