[发明专利]动态随机存取存储器的制作方法有效
| 申请号： | 201710933813.X | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109659275B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 吴姿锦;刘照恩;张景翔;陈意维 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明公开一种动态随机存取存储器的制作方法，包含提供一基底，然后，形成一第一掩模层，其中形成第一掩模层的步骤包含先形成一含氢氮化硅层，再形成一氧化硅层覆盖并接触含氢氮化硅层，其中含氢氮化硅层的化学式为Si |
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| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种动态随机存取存储器的制作方法，包含：提供一基底；形成一第一掩模层，其中形成该第一掩模层的步骤包含：形成一含氢氮化硅层覆盖该基底，以及形成一氧化硅层覆盖并接触该含氢氮化硅层，其中该含氢氮化硅层的化学式为SixNyHz，X的数值介于4至8之间、Y的数值介于3.5至9.5之间、Z的数值等于1；图案化该第一掩模层以形成一图案化第一掩模层；以该图案化第一掩模层为掩模，蚀刻该基底以形成一字符线沟槽；完全移除该图案化第一掩模层；以及形成一字符线于该字符线沟槽。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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