[发明专利]一种晶圆级功率半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201710934007.4 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107591452A | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周永珍 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆级功率半导体器件，包括有源区其中，有源区包括第一导电类型衬底和第一导电类型衬底外延层，在第一导电类型衬底外延层上形成沟槽，沟槽内填充导电多晶硅，第二导电类型体区上形成第一导电类型源极，第一导电类型源极和第一导电类型衬底外延层的上表面形成绝缘介质层，绝缘介质层上形成源极引线孔、漏极引线孔和栅极引线孔，第一导电类型源极通过源极引线孔与源漏栅金属层连接，第一导电类型衬底外延层通过漏极引线孔与源漏栅金属层连接，且源极引线孔、漏极引线孔和栅极引线孔均为同一工艺步骤形成。本发明还公开了一种晶圆级功率半导体器件的制作方法。本发明提供的晶圆级功率半导体器件，减少工艺制造光刻层数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 功率 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级功率半导体器件，包括有源区（A）和终端保护与截止保护区（T），所述有源区（A）位于晶圆级功率半导体器件的中心区，所述终端保护与截止保护区（T）位于所述有源区（A）的外圈，其特征在于，所述有源区（A）包括：第一导电类型衬底（1）和设置在所述第一导电类型衬底（1）上的第一导电类型衬底外延层（2），在所述第一导电类型衬底外延层（2）上形成沟槽，所述沟槽内壁形成绝缘氧化层（3），所述沟槽内填充导电多晶硅（4），所述导电多晶硅（4）形成为栅极区域（a），所述第一导电类型衬底外延层（2）上形成第二导电类型体区（5），所述第二导电类型体区（5）上形成第一导电类型源极（6），所述第一导电类型源极（6）和所述第一导电类型衬底外延层（2）的上表面形成绝缘介质层（7），所述绝缘介质层（7）上形成源极引线孔（8a）、漏极引线孔（8b）和栅极引线孔，所述源极引线孔（8a）、漏极引线孔（8b）和栅极引线孔上形成源漏栅金属层（9），所述源漏栅金属层（9）形成为漏极区域（c）、源极区域（b）和栅极区域（a），所述源漏栅金属层（9）上淀积和刻蚀绝缘钝化层（10），所述绝缘钝化层（10）上形成第一金属垫层（11）和第二金属垫层（13），所述源漏栅金属层（9）与所述导电多晶硅（4）之间通过栅极引线孔连接，所述第一导电类型源极（6）通过源极引线孔（8a）与所述源漏栅金属层（9）连接，所述第一导电类型衬底外延层（2）通过漏极引线孔（8b）与所述源漏栅金属层（9）连接，且所述源极引线孔（8a）、漏极引线孔（8b）和栅极引线孔均为同一光刻板、同一刻蚀步骤以及同一金属淀积步骤形成。
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