[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法以及控制逻辑有效
| 申请号： | 201710934299.1 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN108074603B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 南尚完;边大锡;尹治元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C8/10 | 分类号： | G11C8/10;G11C8/14;G11C8/08;G11C7/18;G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;田野 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了非易失性存储器装置及其操作方法以及控制逻辑。所述非易失性存储器装置包括结合到包含串的存储器单元阵列的控制逻辑。控制逻辑被配置为在用于从被选择的串感测数据的感测操作的设置间隔期间控制被施加到未选择的串选择线的第一弱导通电压和被施加到未选择的地选择线的第二弱导通电压。未选择的串选择线和未选择的地选择线分别连接到同一个未选择的串的串选择晶体管和地选择晶体管。被选择的串和未选择的串共同连接到同一条位线。第一弱导通电压和第二弱导通电压分别小于未选择的串中的串选择晶体管和地选择晶体管的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 及其 操作方法 以及 控制 逻辑 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括连接到位线、字线、串选择线和地选择线的串，每个串包括在串选择晶体管与地选择晶体管之间串联连接的存储器单元；以及控制逻辑，结合到存储器单元阵列，控制逻辑被配置为在用于从串中的被选择的串感测数据的感测操作的设置间隔期间控制被施加到串选择线中的未选择的串选择线的第一弱导通电压和被施加到地选择线中的未选择的地选择线的第二弱导通电压，未选择的串选择线和未选择的地选择线分别连接到串中的同一个未选择的串的串选择晶体管和地选择晶体管，被选择的串和未选择的串共同连接到位线中的同一条位线，第一弱导通电压的电平小于未选择的串中的串选择晶体管的阈值电压并且大于地电压，第二弱导通电压的电平小于未选择的串的地选择晶体管的阈值电压并且大于地电压。
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