[发明专利]CMOS反相器及阵列基板在审
| 申请号： | 201710937121.2 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107799521A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 周星宇;徐源竣;任章淳;吴元均;吕伯彦;杨伯儒;陈昌东;刘川 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMOS反相器及阵列基板。该CMOS反相器包括电性连接的P型低温多晶硅薄膜晶体管和N型金属氧化物薄膜晶体管；所述P型低温多晶硅薄膜晶体管和N型金属氧化物薄膜晶体管满足以下公式μP；其中，Cn和CP分别为N型金属氧化物薄膜晶体管的栅绝缘层电容和P型低温多晶硅薄膜晶体管的栅绝缘层电容，和分别为N型金属氧化物薄膜晶体管的沟道宽长比和P型低温多晶硅薄膜晶体管的沟道宽长比，μn和μP分别为N型金属氧化物薄膜晶体管的迁移率和P型低温多晶硅薄膜晶体管的迁移率，能够提升CMOS反相器的性能，降低CMOS反相器的制作难度和生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 反相器 阵列 | ||
【主权项】：
一种CMOS反相器，其特征在于，包括：电性连接的P型低温多晶硅薄膜晶体管(10)和N型金属氧化物薄膜晶体管(20)；所述P型低温多晶硅薄膜晶体管(10)和N型金属氧化物薄膜晶体管(20)满足以下公式：CnWnLnμn=CPWPLPμP]]>其中，Cn和CP分别为N型金属氧化物薄膜晶体管(20)的栅绝缘层电容和P型低温多晶硅薄膜晶体管(10)的栅绝缘层电容，和分别为N型金属氧化物薄膜晶体管(20)的沟道宽长比和P型低温多晶硅薄膜晶体管(10)的沟道宽长比，μn和μP分别为N型金属氧化物薄膜晶体管(20)的迁移率和P型低温多晶硅薄膜晶体管(10)的迁移率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
