[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710939744.3 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109599360A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底；在所述衬底中形成掺杂层；在所述掺杂层和衬底上形成介质层；在所述介质层中形成接触孔，所述接触孔底部暴露出所述掺杂层；在所述掺杂层表面沉积非晶半导体层；形成接触孔之后，在所述非晶半导体层表面形成金属层；对所述金属层和非晶半导体层进行退火处理，使所述非晶半导体层与所述金属层反应形成金属化物；形成所述金属化物之后，在所述接触孔中形成插塞。所述形成方法能够改善所形成半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶半导体层 掺杂层 接触孔 半导体结构 衬底 金属化物 介质层 金属层 表面形成金属 表面沉积 退火处理 插塞 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底中形成掺杂层；在所述掺杂层和衬底上形成介质层；在所述介质层中形成接触孔，所述接触孔贯穿所述掺杂层上的介质层；在所述掺杂层表面沉积非晶半导体层；形成接触孔之后，对所述非晶半导体层进行金属化处理，形成金属化物；形成所述金属化物之后，在所述接触孔中形成插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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