[发明专利]检查用晶片和检查用晶片的使用方法有效
| 申请号： | 201710939785.2 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN107958847B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 崔星一;伊贺勇人 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供检查用晶片和检查用晶片的使用方法，既能够抑制在激光加工时漏光对器件的影响，又能够找出能够对晶片进行良好地分割的加工条件。在通过激光加工在晶片(W)的内部形成改质层(M)的激光加工装置(1)中，代替晶片而使用该检查用晶片(WA)，其用于对激光加工时的漏光进行检查，其中，该检查用晶片(WA)具有：检查用基板(41)；基底层(42)，其按照规定的厚度形成在检查用基板的整个正面上；以及金属箔(43)，其层叠在基底层上，基底层的厚度形成为漏光对晶片的器件和检查用晶片的金属箔的影响一致。 | ||
| 搜索关键词： | 检查 晶片 使用方法 | ||
【主权项】：
一种检查用晶片，其使用在如下的激光加工装置中，该激光加工装置从在正面上由分割预定线划分而形成有多个器件的晶片的背面对构成晶片的基板照射透过性波长的激光光线，使该激光光线会聚在基板的内部而沿着分割预定线在基板的内部形成改质层，该激光光线会聚于该检查用晶片，该检查用晶片对无助于形成该改质层的激光光线从该改质层对器件造成影响的漏光进行检查，其中，该检查用晶片包含：检查用基板；基底层，其按照规定的厚度形成在该检查用基板的整个正面上；以及金属箔，其层叠在该基底层上，该基底层形成为该金属箔能够只检测出对器件造成影响的漏光的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
