[发明专利]晶片层合体、其制备方法和用于晶片层合体的粘合剂组合物有效
| 申请号： | 201710940342.5 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN107919314B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 安田浩之;菅生道博;加藤英人 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C09J161/12;C09J183/06 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 杜丽利 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了适合于制备薄晶片的晶片层合体和用于制备晶片层合体的方法。可以容易地通过载体和晶片之间的结合形成晶片层合体并且其可以容易地彼此分离。其促进了薄晶片的生产率。晶片层合体包括载体、在载体上形成的粘合剂层和在粘合剂层上以使得具有电路表面的晶片的表面朝向粘合剂层的方式层合的晶片，其中粘合剂层为由树脂A和树脂B组成的粘合剂组合物的固化产物，树脂A具有光阻隔效果和树脂B具有硅氧烷骨架。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 合体 制备 方法 用于 粘合剂 组合 | ||
【主权项】：
晶片层合体，其包括载体、在载体上形成的粘合剂层和在粘合剂层上以使具有电路表面的晶片的表面朝向粘合剂层的方式层合的晶片，其中粘合剂层为包含树脂A和树脂B的粘合剂组合物的固化产物，树脂A含有由下式(1)表示的重复单元并且具有500至500,000的重均分子量，树脂B含有硅氧烷骨架：其中R1至R3独立地为氢原子、羟基和具有1至20个碳原子的一价有机基团，其中R1至R3的至少一个为羟基，和R4为氢原子或具有1至30个碳原子的一价有机基团，其可以具有取代基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
