[发明专利]一种晶硅太阳能电池处理方法在审
| 申请号： | 201710940827.4 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107731959A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 奚明;吴红星;戴虹;吴堃;夏马来 | 申请（专利权）人： | 理想晶延半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201620 上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了晶硅太阳能电池处理设备的处理方法，所述晶硅太阳能电池处理方法包括，将预处理腔室的待处理基板进行氧化处理；将氧化处理后的基板传输至镀膜沉积腔室中；在所述镀膜沉积腔室中对所述基板进行镀膜沉积。本发明所述预处理腔室用于氧化处理节省了设备成本及厂房占地成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种晶硅太阳能电池处理设备的处理方法，其特征在于，包括：将预处理腔室的待处理基板进行氧化处理；将氧化处理后的基板传输至镀膜沉积腔室中；在所述镀膜沉积腔室中对所述基板进行镀膜沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
