[发明专利]有关有机掩模的用于选择性地蚀刻氧化硅的方法

摘要

本发明提供了有关有机掩模的用于选择性地蚀刻氧化硅的方法，具体提供了一种用于利用具有通孔塞的有机平坦化层选择性地蚀刻含氧化硅的层中的沟槽的方法。处理氧化硅层包括多个工艺循环，其中每个蚀刻循环包括沉积阶段和蚀刻阶段，沉积阶段包括提供包括具有一定氟碳比的含碳氟化合物或氢氟碳化合物的气体的沉积阶段气体的流，提供恒定的RF功率，其将沉积阶段气体形成等离子体，并停止沉积阶段，所述蚀刻阶段包括提供包括氟碳比高于所述沉积阶段气体的氟碳比的含碳氟化合物或氢氟碳化合物的气体的蚀刻阶段气体的流，提供脉冲RF功率，其将蚀刻阶段气体形成等离子体，并停止蚀刻阶段。

主权项

一种用于利用具有通孔塞的有机平坦化层选择性地蚀刻含氧化硅的层中的沟槽的方法，其包括：将所述含氧化硅的层放置在处理室中；处理所述氧化硅层包括多个工艺循环，其中每个蚀刻循环包括：沉积阶段，其包括：提供沉积阶段气体的流到所述处理室中，所述沉积阶段气体包括具有氟碳比的含碳氟化合物或氢氟碳化合物的气体；提供具有至少60MHz的RF频率的RF功率，其将所述沉积阶段气体形成为等离子体；以及停止所述沉积阶段；以及蚀刻阶段，其包括：提供蚀刻阶段气体的流到所述处理室中，所述蚀刻阶段气体流包括氟碳比高于所述沉积阶段气体的氟碳比的含碳氟化合物或氢氟碳化合物的气体；提供具有至少60MHz的RF频率的脉冲RF功率，其将所述蚀刻阶段气体形成为等离子体；以及停止所述蚀刻阶段。