[发明专利]一种红外探测器芯片电极的制造方法

摘要

本发明提供的红外探测器芯片电极的制造方法，包括：在红外探测器芯片上涂光刻胶，以生成光刻胶层；对光刻胶层进行图形曝光；按照预设固胶显影方法，在曝光处理后的红外探测器芯片上生长三维胶形；在生长有三维胶形的红外探测器芯片上溅射合金；对溅射有合金的红外探测器芯片进行金属刻蚀处理，得到红外探测器芯片的三维合金电极。该方法制造的三维合金电极，可以降低对红外探测器芯片平坦度的要求，与外电路连接较为方便，并且对温度变化产生的应力的耐受度比较高，制造方法较为简便，能够提高小像元间距、大像元面阵的红外探测器芯片的可靠性，解决了现有技术的问题。

主权项

1.一种红外探测器芯片电极的制造方法，其特征在于，包括：在红外探测器芯片上涂光刻胶，以生成光刻胶层；对所述光刻胶层进行图形曝光；按照预设固胶显影方法，在曝光处理后的所述红外探测器芯片上生长三维胶形；在生长有三维胶形的所述红外探测器芯片上溅射合金；对溅射有合金的所述红外探测器芯片进行金属刻蚀处理，得到所述红外探测器芯片的三维合金电极。