[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201710946975.7 | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN107731782A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 林子闳;洪建州 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L23/66;H01L49/02;H01L23/488;H01L23/49;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司11111 | 代理人： | 白华胜,王蕊 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构。半导体结构包括基底；第一钝化层，设置于所述基底上；导电垫，设置于所述第一钝化层上；第二钝化层，设置于所述第一钝化层上；导电结构，设置于所述导电垫上；被动元件，设置于所述导电垫上，其中所述被动元件具有位于所述第二钝化层上的第一部分以及穿过所述第二钝化层的第二部分；可焊性保护膜，覆盖所述被动元件的所述第一部分；第一凸块下金属层，覆盖所述被动元件的所述第二部分；以及第二凸块下金属层，覆盖所述导电结构的一部分；其中，所述第一凸块下金属层与所述有机可焊性保护膜一起将所述被动元件包围起来；其中，所述第一凸块下金属层延伸至所述第二钝化层的上表面，并且所述有机可焊性保护膜不与所述第二钝化层相接触。本发明所公开的半导体结构，有机可焊性保护膜可以防止表面效应的发生，此外，能够减小电阻并具有较高的品质因数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；第一钝化层，设置于所述基底上；导电垫，设置于所述第一钝化层上；第二钝化层，设置于所述第一钝化层上；导电结构，设置于所述导电垫上；被动元件，设置于所述导电垫上，其中所述被动元件具有位于所述第二钝化层上的第一部分以及穿过所述第二钝化层的第二部分；可焊性保护膜，覆盖所述被动元件的所述第一部分；第一凸块下金属层，覆盖所述被动元件的所述第二部分；以及第二凸块下金属层，覆盖所述导电结构的一部分；其中，所述第一凸块下金属层与所述有机可焊性保护膜一起将所述被动元件包围起来；其中，所述第一凸块下金属层延伸至所述第二钝化层的上表面，并且所述有机可焊性保护膜不与所述第二钝化层相接触。
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