[发明专利]一种基于0.13um SiGeBiCMOS工艺的三次谐波混频器有效
| 申请号： | 201710947957.0 | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107612508B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 邵振海;黄涛 | 申请（专利权）人： | 机比特电子设备南京有限公司 |
| 主分类号： | H03D7/14 | 分类号： | H03D7/14 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 李蕊;李林合 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于0.13um SiGeBiCMOS工艺的三次谐波混频器，包括倍频电路和与倍频电路连接的混频电路；倍频电路包括BJT1、BJT2和BJT3；BJT1的基极为倍频电路的输入端，BJT1的集电极与BJT2的基极电连接；BJT2的集电极与BJT3的基极电连接；混频电路包括BALUN、RF BALUN和Gilbert混频单元；Gilbert混频单元包括共发射极的BJT4和BJT5以及BJT6和BJT7；BJT4和BJT5的发射极与BJT8的集电极连接；BJT6和BJT7的发射极与BJT9的集电极连接；BALUN的一输出端分别与BJT4和BJT7的基极电连接，其另一输出端分别与BJT5和BJT6的基极电连接；RF BALUN的输出端分别与BJT8和BJT9的基极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 0.13 um sigebicmos 工艺 三次 谐波 混频器 | ||
【主权项】：
一种基于0.13um SiGeBiCMOS工艺的三次谐波混频器，其特征在于：包括倍频电路和与倍频电路连接的混频电路；所述倍频电路包括BJT1、BJT2和BJT3；所述BJT1的基极为倍频电路的输入端，BJT1的集电极与BJT2的基极电连接；所述BJT2的集电极与BJT3的基极电连接；所述混频电路包括BALUN、RF BALUN和Gilbert混频单元；所述Gilbert混频单元包括共发射极的BJT4和BJT5以及BJT6和BJT7；所述BJT4和BJT5的发射极与BJT8的集电极连接；所述BJT6和BJT7的发射极与BJT9的集电极连接；所述BALUN的一输出端分别与BJT4和BJT7的基极电连接，其另一输出端分别与BJT5和BJT6的基极电连接；所述RF BALUN的输出端分别与BJT8和BJT9的基极电连接。
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