[发明专利]用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列基板和X射线探测器在审
申请号: | 201710949051.2 | 申请日: | 2017-10-12 |
公开(公告)号: | CN107623011A | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 陈德铭;陈宗汉;吴声桢;周耕群;陈盈宪 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01T1/20 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 梁挥,许志影 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列基板及其X射线探测器,包括基板、栅极布线、栅极绝缘层、有源层、源电极和漏电极、第一绝缘层、光电二极管、第二绝缘层、数据线、遮光金属层、透明电极层以及第三绝缘层,其中,光电二极管形成在像素区域中,并且包括电连接到源电极的下部电极、形成在下部电极上的光电导层、以及形成在光电导层上的上部电极;数据线,形成在该第二绝缘层上,并自贯穿第一绝缘层及第二绝缘层的接触孔电连接漏电极;遮光金属层,形成于该第二绝缘层上,遮光金属层与有源层交叠;透明电极层,形成于该第二绝缘层上,透明电极层电连接上部电极,且透明电极层电连接于遮光金属层。 | ||
搜索关键词: | 用于 射线 探测器 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】:
一种用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,包括:基板;栅极布线,形成在该基板上,包括栅极线和电连接到该栅极线的栅电极;栅极绝缘层,覆盖该栅极布线;有源层,形成在该栅绝缘层上,且与该栅电极交叠;源电极和漏电极,形成于该有源层上,该源电极与该漏电极相互间隔开;第一绝缘层,形成在该源电极和该漏电极上,且该第一绝缘层具有第一开孔,部分该源电极自该第一开孔中暴露出;光电二极管,形成在像素区域中,并且包括电连接到该源电极的下部电极、形成在该下部电极上的光电导层、以及形成在该光电导层上的上部电极,该光电导层使用外部提供的光来产生电子和空穴;第二绝缘层,形成在该光电二极管上,具有接触孔及第二开孔,该接触孔贯穿该第二绝缘层及该第一绝缘层并使得部分该漏电极自该第一接触孔中暴露出,且该光电二极管的部分该上部电极自该第二开孔暴露出;数据线,形成在该第二绝缘层上,并自该接触孔电连接该漏电极;遮光金属层,形成于该第二绝缘层上,且该遮光金属层在该基板上垂直投影遮盖该有源层在该基板上的垂直投影;透明电极层,形成于该第二绝缘层上,该透明电极层电连接自该第二开孔中暴露中的该上部电极,且该透明电极层电连接于该遮光金属层;以及,第三绝缘层,覆盖该数据线、该遮光金属层及该透明电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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