[发明专利]半导体刻蚀机台在审
| 申请号： | 201710951426.9 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107622943A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 刘希飞;阚保国;刘家桦 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体刻蚀机台，包括刻蚀装置，所述刻蚀装置包括侧壁，所述侧壁围成刻蚀腔；顶盖，密封设置于所述侧壁的顶部；真空泵，固定设置于所述刻蚀腔的底部；晶圆吸附盘，设置于所述刻蚀腔内；悬臂，固定连接所述晶圆吸附盘和所述侧壁，所述悬臂的高度尺寸大于所述悬臂的厚度尺寸；且从所述悬臂的顶端至所述悬臂的底端，所述悬臂的厚度先逐渐增大，后逐渐减小。因此，能够减小悬臂对气体流动的阻挡，使得从顶盖排出的反应气体和化学反应产生的杂质气体能够快速通过悬臂、流向刻蚀腔的底部，从而能够提高晶圆靠近悬臂一侧的刻蚀速度，使晶圆在各个区域具有相对均衡的刻蚀速度，保证晶圆在不同位置均具有相接近的刻蚀程度，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 刻蚀 机台 | ||
【主权项】：
一种半导体刻蚀机台，其特征在于，包括：刻蚀装置，包括：侧壁，所述侧壁围成刻蚀腔；顶盖，密封设置于所述侧壁的顶部；真空泵，固定设置于所述刻蚀腔的底部；晶圆吸附盘，设置于所述刻蚀腔内；悬臂，固定连接所述晶圆吸附盘和所述侧壁，所述悬臂的高度尺寸大于所述悬臂的厚度尺寸；且从所述悬臂的顶端至所述悬臂的底端，所述悬臂的厚度先逐渐增大，后逐渐减小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
