[发明专利]具有高孔径比的超高密度显示装置有效
申请号: | 201710952088.0 | 申请日: | 2017-10-13 |
公开(公告)号: | CN107978620B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 金贤真;黄盛焕 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3233 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;王鹏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开内容涉及具有高孔径比的超高密度显示装置。本公开内容提出一种显示装置,其包括:上水平电流线、水平感测线、扫描线和下水平电流线,这些线沿水平方向延伸并且按上述顺序从上侧到下侧沿竖直方向依次设置在衬底上;发射区域,其被限定在水平感测线与上水平电流线之间;非发射区域,其被限定在水平感测线与下水平电流线之间;开关薄膜晶体管和感测薄膜晶体管,这些晶体管被设置在水平感测线与扫描线之间;驱动薄膜晶体管,其被设置在扫描线与下水平电流线之间;阳极电极,其从发射区域扩展至非发射区域,并且连接至驱动薄膜晶体管;以及阳极瓶颈部,其被设置在水平感测线与扫描线之间,用于选择性地使阳极电极与驱动薄膜晶体管断开连接。 | ||
搜索关键词: | 具有 孔径 超高 密度 显示装置 | ||
【主权项】:
一种显示装置,包括:上水平电流线、水平感测线、扫描线和下水平电流线,这些线沿水平方向延伸并且按上述顺序从上侧到下侧沿竖直方向依次设置在衬底上;发射区域,其被限定在所述水平感测线与所述上水平电流线之间;非发射区域,其被限定在所述水平感测线与所述下水平电流线之间;开关薄膜晶体管和感测薄膜晶体管,这些晶体管被设置在所述水平感测线与所述扫描线之间;驱动薄膜晶体管,其被设置在所述扫描线与所述下水平电流线之间;阳极电极,其从所述发射区域扩展到所述非发射区域,并且连接至所述驱动薄膜晶体管;以及阳极瓶颈部,其被设置在所述水平感测线与所述扫描线之间,用于选择性地使所述阳极电极与所述驱动薄膜晶体管断开连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的