[发明专利]单晶硅正金字塔周期阵列结构绒面制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201710952184.5 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107881561A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 于天宝;王茜茜 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶硅正金字塔周期阵列结构绒面制备方法及其应用，其中，该单晶硅正金字塔周期阵列结构绒面制备方法中包括提供具备亲水性的单晶硅片；在所述单晶硅片表面形成规则排布的聚合物微球薄膜；对所述聚合物微球薄膜进行蚀刻，将单晶硅片表面的聚合物微球彼此分离；对所述聚合物微球进一步进行湿法蚀刻，得到正金字塔周期阵列结构绒面。制备出的正金字塔阵列结构绒面的比表面积小、光子吸收优异，且其制备工艺简单，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 金字塔 周期 阵列 结构 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种单晶硅正金字塔周期阵列结构绒面制备方法，其特征在于，所述正金字塔周期阵列结构绒面制备方法中包括：提供具备亲水性的单晶硅片；在所述单晶硅片表面形成规则排布的聚合物微球薄膜；对所述聚合物微球薄膜进行蚀刻，将单晶硅片表面的的聚合物微球彼此分离；对所述聚合物微球进一步进行湿法蚀刻，得到正金字塔周期阵列结构绒面。
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