[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710952407.8 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN109671777B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有第一鳍部；形成覆盖所述第一鳍部侧壁的第一侧墙结构，所述第一侧墙结构包括相对的第一面和第二面，所述第二面朝向所述第一鳍部侧壁表面；在所述第一侧墙结构之间的第一鳍部中形成第一凹槽，所述第一凹槽侧壁暴露出所述第一侧墙结构；形成所述第一凹槽之后，对所述第一侧墙结构第一面进行刻蚀，去除部分第一侧墙结构；对所述第一侧墙结构第一面进行刻蚀之后，在所述第一凹槽中形成第一外延层。所述形成方法能够改善所形成半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有第一鳍部；形成覆盖所述第一鳍部侧壁的第一侧墙结构，所述第一侧墙结构包括相对的第一面和第二面，所述第二面朝向所述第一鳍部侧壁表面；在所述第一侧墙结构之间的第一鳍部中形成第一凹槽，所述第一凹槽侧壁暴露出所述第一侧墙结构；形成所述第一凹槽之后，对所述第一侧墙结构第一面进行刻蚀，去除部分第一侧墙结构；对所述第一侧墙结构第一面进行刻蚀之后，在所述第一凹槽中形成第一外延层。
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